全自動熱脫附儀實際上是一套技術組合，它將揮發(fā)物從復雜基質中萃取出來并濃縮以用于GC或GC/MS分析。是將固體樣品或吸附有待測物的吸附管置于熱解吸裝置中，該裝置與色譜儀直接連接(也有獨立安裝的型號)，載氣通過熱解吸裝置進入色譜儀進樣口。
熱脫附，亦稱TD，是將物質加熱至一定溫度使其釋放出所吸附的化合物的過程。作為一種分析方法，熱脫附技術常用作氣相色譜法的預濃縮手段，使GC能夠用于分析低濃度化合物。否則，低濃度分析物將無法被GC檢測到。該技術在真空條件下或通入載氣時，通過直接或間接熱交換，將土壤中的有機污染物加熱到足夠的溫度，以使有機污染物從污染介質上得以揮發(fā)或分離，進入氣體處理系統(tǒng)的過程。熱脫附主要包含兩個基本過程：一是加熱待處理物質，將目標污染物揮發(fā)成氣態(tài)分離；二是將含有污染物的尾氣進行冷凝、收集以及焚燒等處理至達標后排放至大氣中。
在整個熱脫附分析過程中，影響結果準確性的主要步驟包括采樣過程、解吸管脫附過程，以及樣品上機分析過程。
采樣過程的影響，主要是環(huán)境狀態(tài)，解吸管選型和采樣的條件設置；熱解吸管脫附過程的影響主要是脫附效率，以及樣品組份在脫附后到進入氣相過程中的整個體系的氣密性；樣品上機分析的準確性主要在于如何排除雜質的干擾。我們需要對解吸管本身的雜質進行判斷分析，不同類型的解吸管本身的雜質會有所差異。對于新購買的解吸管，在使用正確的老化方法進行老化后，解吸管本身的本底應該是不會被檢出的。一般解吸管的本底會在多次使用后逐漸出現(xiàn)。
除了解吸管的本底雜質，在熱脫附-氣相色譜分析過程中熱脫附儀本身也會有雜質出現(xiàn)：
全自動熱脫附儀在無熱解吸管進樣時，熱脫附體系也會有本底干擾，其主要來源可能有：用來進行系統(tǒng)密封的墊圈流失；色譜柱本身的柱流失；冷阱的流失——二次熱脫附儀冷阱因含有聚合物基質而出現(xiàn)的苯的本底。出現(xiàn)這一情況時，一般可以通過不進樣的方式（儀器空白/熱脫附空白等）來進行排查。
